[클릭 e종목]"코스텍시스, SiC 전력반도체용 스페이서 성과 본격화"

NH투자증권은 5일 코스텍시스 에 대해 SiC 전력반도체용 스페이서 성과가 본격적으로 나타날 것으로 내다봤다.

강경근 NH투자증권 연구원은 "스페이서는 DBC기판과 SiC칩 사이에 위치하며 칩에서 발생하는 열을 효율적으로 막아 열팽창으로 인한 칩 파손을 방지한다"며 "기존 스페이서 시장은 ALMT, FJ Composite 등 일본 업체가 독과점했다"고 설명했다.

이어 "코스텍시스는 2019년부터 SiC 전력반도체용 방열 스페이스 국산화 개발을 추진했다"며 "고방열 소재부터 패키지 제품까지 수직계열화했다"고 덧붙였다.

아울러 "지난달 SiC 전력반도체용 스페이서는 온세미컨덕터의 퀄 테스트를 통과했다"며 "이르면 올해 3분기 중 양산을 시작할 것"이라고 분석했다. 그는 "신규 차량 모델의 점유율 절반가량 확보할 것으로 예상한다"며 "제품 수익성은 기존 RF 통신용 패키지를 소폭 웃도는 수준으로 추정한다"고 말했다. ST마이크로, 비스테코 등 시제품을 공급해온 고객사들도 이르면 올해 말 긍정적인 퀄 테스트 결과를 발표할 것으로 기대했다.

강 연구원은 "빠르게 증가하는 SiC 전력반도체용 스페이서 수요에 선제적으로 대응하기 위해 코스텍시스는 추가로 증설하고 있다"며 "2차 증설에 이어 3차 증설까지 계획 중"이라고 설명했다. 그는 "올해 흑자 전환하면서 본격적인 성장궤도에 진입할 것"이라며 "스페이서 양산 본격화와 전력반도체 분야 신규 아이템 개발 등을 고려하면 주가 상승 동력은 풍부하다"고 판단했다.

박형수 기자 parkhs@asiae.co.kr